当前条件： 场效应管 VGS(V) : ±10 Channel : Dual N
当前产品库 MOS管
ESD保护
YN
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PD(W)
11.5
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ID(A)
76.5
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VGS(th)_Min(V)
0.50.45
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RDS(on)(mΩ) @VGS=4.5V
2228
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RDS(on)(mΩ) @VGS=2.5V
2635
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重置 确定
名称
时间
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ATM4612DNSG
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ATM8810DNSG
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