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IGBT
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MOS管
Channel
P
N
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PD(W)
3.2
38
68
40
20
12
60
更多
ID(A)
-45
60
30
50
-40
-50
更多
VDS(V)
-30
-20
30
更多
VGS(V)
±12
±20
更多
VGS(th)_Min(V)
-0.4
1
更多
VGS(th)_Max(V)
-2.5
2.5
更多
RDS(on)(mΩ) @VGS=10V
7.5
13
9
5
5.5
更多
RDS(on)(mΩ) @VGS=4.5V
8
11
7
17
15
10
更多
RDS(on)(mΩ) @VGS=2.5V
11
13
更多
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