MOS 管选型技巧，快来了解！

如果MOS管在电路中处于接地端，负载连接干线电压（即构成低压侧开关），通常优先考虑N沟道MOS管。

当MOS管连接到总线电压(高电压端)，负载接地（即构成高压侧开关）时，通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这是出于对电压驱动的考虑。

首先确定器件耐压值（VDS），也就是最大能承受的电压。一般要留足电压余量来保护MOS管，确保电路不会失效。同时注意耐压越大，器件价格也会越高。

栅源电压（VGS）用于控制MOS管开关，不同型号MOS管的VGS 范围也有区别。

这是MOS管正常工作时能持续通过的最大电流。类似MOS管额定电压一样，也需要根据电路需求来考虑。

根据电路结构来确定，如果电路中有短时间的尖峰电流流过MOS管，那么需要考虑漏脉冲漏极电流（IDM）。

MOS管在导电过程中会有导通损耗，所以要考虑MOS管的RDS（on）。如果对效率要求较高的电路要求，一般会尽量选择导通电阻较小，因为导通电阻越小，在MOS管导通时，其消耗的功率就越小，能够提高电路的效率，减少发热。

计算系统的散热要求，器件的结温=最大环境温度+（热阻×功率耗散），通常MOS管规格书会标注有一些结温、热阻数据。

看应用需求，确定其开关性能。一般影响开关性能的参数有很多，比较重要的是寄生电容Ciss、Coss和Crss。

MOS管有各种各样的封装形式，需要根据电路板空间和散热条件选择。空间小用小封装，大功率用散热好的封装。

MOS管生产企业众多，分欧美、日、韩、台、国产等系列。在此推荐我司AT（艾吉芯）品牌的MOS管几款常规品，同时如有任何疑惑或者需要更多帮助可联系我司，欢迎关注与选择！