一眼看透！MOS管常用驱动电路设计

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原理：

以 N 沟道增强型 MOS 管为例，直接将控制信号通过一个限流电阻连接到 MOS 管的栅极。当控制信号为高电平时，通过限流电阻给栅极充电，使 MOS 管导通；当控制信号为低电平时，栅极通过电阻放电，MOS 管截止。

特点：

电路简单、成本低，但驱动能力有限，不适用于大功率或高速开关场景。

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原理：

由 NPN 和 PNP 两个极性相反的三极管组成。高电平时 NPN 三极管导通，将高电平传至 MOS 管栅极使其导通；低电平时 PNP 三极管导通，拉低栅极电压使 MOS 管截止。这种推挽结构可提供较大驱动电流，加快开关速度。

特点：

驱动能力强，能减少开关损耗、提高效率，但电路较复杂，设计时要注意三极管参数匹配，避免交叉导通。

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通常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管（图中的 D1 常用开关二极管或肖特基二极管），这是为了让 MOS 管在关断瞬间能快速泄放栅源极间电容电压，从而实现快速关断。这样的设计可以减小关断时间和关断损耗。

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