浅谈半导体碳化硅（SiC） MOSFET

首先，碳化硅（SiC）的击穿电压为硅（Si）的8-10倍，能够承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更好效率。

其次，碳化硅（SiC）不存在电流拖尾现象，能够提高元件的开关速度，是硅（Si）开关速度的3-10倍，从而适用于更高频率和更快的开关速度。

最后，碳化硅（SiC）拥有非常高的导热率，相较硅（Si）来讲，能在更高的温度下工作。